Infineon покупает стартап с передовой технологией расщепления кремниевых пластин»
Компания Infineon Technologies AG сообщила о договорённости приобрести молодую немецкую компанию Siltectra со штаб-квартирой в Дрездене. За сумму в 124 млн евро ($139 млн) в собственность Infineon перейдут производственная площадка Siltectra и патенты на передовую технологию по холодному расщеплению кремниевых пластин на более тонкие подложки. Точнее, Infineon приобретает Siltectra для внедрения на своих заводах технологии по расщеплению подложек для изготовления карбидокремниевых полупроводниковых приборов (silicon-carbide, SiC).
Традиционно подложки изготавливаются с помощью механического распиливания на пластины из выращенного монолитного кристаллического стержня. Такой метод даёт много отходов, что неважно для чистого кремния и очень плохо для изготовления пластин из сложных соединений. Технология компании Siltectra, защищённая более чем полусотней патентов, позволяет расщеплять (откалывать) кристаллический материал с минимальными потерями пластина за пластиной. Вне зависимости от метода выращивания SiC-стержня, заявляют в компании, потери составляют менее 100 микрон слоя на одну пластину. В Infineon разъясняют преимущество технологии Siltectra ещё проще. Она фактически позволит в два раза увеличить выпуск SiC-продукции за счёт удвоения количества пластин, получаемых после порезки.
Технология Siltectra будет доведена до промышленных масштабов на дрезденском предприятии компании и на заводе Infineon в Австрии. Австрийский завод Infineon как раз специализируется на обработке особенно тонких кремниевых пластин и сможет воспользоваться всеми преимуществами новой технологии. На внедрение технологии холодного расщепления SiC пластин в массовое производство Infineon планирует потратить до 5 лет. Впоследствии технология будет распространена на расщепление пластин из других кристаллических материалов, как и на отслоение пластин непосредственно с поверхности выращенных стержней. Сейчас, насколько можно понять из контекста, технология холодного расщепления позволяет разделять на две только заранее отрезанную обычным методом пластину.
В ближайшие годы и в длительной перспективе уверены аналитики JEDEC и Infineon, потребность в полупроводниках из сплава кремния и германия будет расти завидными темпами. На основе силовых SiC-элементов создаются предельно эффективные преобразователи энергии для солнечных панелей и компактные, но с очень высоким КПД преобразователи для блоков питания, например, для электротранспорта. И если пластины резать экономно, то можно не опасаться дефицита продукции или её повышенной стоимости.
Andrey on